- Algo em torno de 50 W ou 150 W no máximo creio eu e dependendo da impedância da carga for muito baixa eu poderia adicionar alguma outra em série para limitar a corrente do circuito e assim a potência. Utilizaria uma fonte de 35 V com 5A para alimentar o circuito dos transistores.
- Porquê? Tem alguma coisa a ver com a impedância estar ligada à admitância de saída do transistor no caso do BJT?
Para esse nível de potência então é que seu circuito é conceitualmente inadequado. O que você desenhou são estágios de amplificação, quando o que precisa é apenas usar o transistor como CHAVE, quando ele fica cortado (chave aberta e sem corrente passando) ou saturado (chave fechada e corrente máxima), onde respectivamente toda tensão da fonte recaia sobre o transistor ou sobre a carga.
Então é interessante que quando tenha corrente máxima (chave fechada) a tensão sobre o transistor seja mínima, que chamamos de Vce de saturação. Mas veja que para que consigamos a saturação no transistor, precisa ser aplicada uma tensão na base que seja superior a 0,7V a tensão no emissor. Como você pôs a carga no emissor, quanto maior for a corrente, maior será a tensão de emissor e portanto mais difícil vai ser conseguir uma tensão de base maior do que a tensão de emissor pra conseguir a saturação. Se não atinge a saturação, o transistor opera na região linear (nem cortado e nem saturado), o que faz com que haja grande dissipação de potência no transistor e perda de eficiência (é o que ocorre com o transistor de passagem num circuito regulador de tensão: ele esquenta pra burro, e veja que a carga vai ligada ao emissor).
Agora pense em termos de usar um amplificador (que é o que você fez) para excitar o primário do transformador, qual a eficiência das classes de amplificadores ? Será que pra 50W de potência útil eu não vou desperdiçar outro tanto no circuito do amplificador ?
O seu caso é para usar o transistor como chave (já que o sinal como você mesmo disse é quadrado), onde não importa casamento de impedância, impedância de entrada ou saída, etc., apenas que haja a comutação de energia no primário. É muito mais simples, basta praticamente o transistor de potência (e um resistor na base), com o primário ligado no coletor, dessa forma, o emissor aterrado, qualquer sinal acima de alguns volts na base (tendo o resistor) liga totalmente o transistor, e jogando 0V, desliga ele totalmente.
Como a potência em jogo é alta, hoje em dia usamos MOSFETs de potência, com resistência dreno-fonte (Rds on) de poucos miliohms quando plenamente saturado (ou seja uma chave quase perfeita), dessa forma dissipando pouca potência (ou seja quase não esquenta) no lugar de transistores bipolares (que com alta corrente e alguma tensão Vce de saturação podem esquentar mais). Da mesma forma, ligamos a carga no dreno, porque pra ligar o MOSFET (canal N tipo enhancement) precisa ter uma tensão porta-fonte (Vgs th) de disparo de alguns volts (cai no mesmo caso do Vbe do bipolar).
Dessa forma, a fonte inicial de energia precisa ser menor e menos potente, seu circuito consome menos energia e terá mais eficiência.
Estude mais a matéria de eletrônica de potência e fontes chaveadas para fazer esse projeto.
Dilber MC Theme by HarzeM