Handmades

Pessoal, por acaso alguém já usou o MTester (aqueles instrumentos chineses baseados nos micro controladores atmel) para casar fet's?? Eu usei aqui em um lote de 2n5952 que comprei na farnell anos atrás, ele informa I e Vgs.
Peço desculpas se já existir tópico parecido, tentei na busca e não achei.

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Segue uma imagem:

(https://s1.postimg.cc/kh97gssdr/20170718_014346.jpg)

Se tu vai fazer uma linha de montagem até pode valer a pena.  Mas se está querendo fazer só um pedal, o método do braço funciona muito bem!

Mas deve ser legal um aparelho desses!   De quanto seria a precisão dele?   quantos bits é o AD do processador?  ou qual processador é?


Abraços.

Patines, não saberia te dizer qual é o uC agora, pois estou trabalhando. Eu já tinha feito algum tempo atrás o circuito da GGG para casar fets. Só que com o passar dos anos os fets acabaram misturando. O fato é que comprei este testador (até onde sei, só não mede darlingtons) para medir bobinas de divisores de frequência, e neste caso, para bobinas, ele é ótimo, lembro que comparei com uma ponte rlc e todas as bobinas bateram. É um aparelho barato, tem a venda na ali express e no ML.
Nos fets ele mediu 2 casas depois da virgula, vou fazer o circuito da GGG novamente para ver se bate.

A respeito do casamento (Matchig) dos J-FET's, tem um circuito muito simples que eu achei as minhas pesquisas:

(http://i64.tinypic.com/34raeqa.png)

E um outro bem mais elaborado:

(http://i63.tinypic.com/95rcjs.png)

Artigo completo (em ingles): http://www.mediafire.com/file/qiw3xirwp7obn9b/JFET_Tester.pdf

Bom uso...

Daniel.

Pode até ser..  mas também pode ser só ilusão!  POde ser que o teu multímetro tenha mais precisão.
Vai fazer linha de montagem?


Esse método que o daniellp usa é o que uso.  mas sem o circuito....  é no braço e com umas garras jacaré, sem OPAMP.  Uso um resistor de 1M para VGSoff e resistor de 100Ω para Idss.

Abraços.

Não, sem linha de montagem, quero montar dois phase 90 e dois phase 45, para meu uso e para meu filho. Eu utilizei um esquema parecido com o primeiro que o Daniel postou uns anos atrás, assim que eu tiver um tempo vou montar novamente o circuito para casar os fets e comparar com o MTester.
Como eu disse antes, comprei este Mtester para medir bobinas para divisores de frequência, e para esta utilização ele é muito bom, mesmo.
Outra boa aplicação é o capacímetro com a medição do ESR do capacitor.
Segue um vídeo de demonstração:
https://www.youtube.com/watch?v=VChak4LhrB4&t=705s

Uma dúvida minha: vocês medem algumas características do JFET. Mas depois qual a interpretação que vocês fazem delas ? Ou seja, quais valores servem para o projeto em questão (Phaser) ?  Tem algum requisito no projeto do pedal ?

Até onde eu sei, os fets são usados no phase 90 como resistores variáveis. O casamento deles, acredito que tanto faz o método, desde que se aproxime o Vgs dos fets usados, faz com que eles estejam, digamos, com a mesma resistência em determinado ponto da curva do oscilador. Isso faz com que os estágios trabalhem "em fase".
Depois disso, o que pode mudar em relação ao quarteto casado obtido seria o zenner, para o 2n5952 seria tipicamente de 5V1, para alguns outros modelos pode variar, se não me engano de 4V7 até 5V6...

na teoria da GEOFEX http://www.geofex.com/article_folders/fetmatch/fetmatch.htm (http://www.geofex.com/article_folders/fetmatch/fetmatch.htm) uma variação de 100mV é aceitavel.

já vi discussões de que seria possivel usar 4 fets completamente diferentes (modelo e Vgs) sem problemas, mas aplicando um trimpot para cada um, e uma derivação do LFO para cada um....

VGsoff e Idss determinam a curva teórica do JFET.  E para um mesmo tipo de JFET, quanto mais próximos estiverem VGSoff e Idss, melhor, pois as curvas, mesmo que não sejam estritamente as teóricas, serão similares.

(https://i0.wp.com/mrelbernitutoriales.com/wp-content/uploads/2014/11/Curva-de-transferencia.png)

Mesmo VGSoff porque todos os JFets são controlados pela mesma tensão num Phaser.  Se colocasse um potenciômetro para da cada JFET, fazendo um divisor de tensão, isso ficaria resolvido.  Mas preço por preço, melhor é comprar uns JFET a mais e casar e ter um componente a menos na placa(que também custa dinheiro).  Além disso, se for fazer vários pedais, ainda é possível fazer vários grupos com os JFETs mais parecidos.

Existe outro "porém".  No caso do Idss, se tiver o mesmo VGSoff(ou ajustado por potenciômetro) e diferente Idss, para uma mesma tensão, a resistência pode variar para a mesma tensão de controle.  Podemos achatar somente o parâmetro VGSoff na curva, não Idss.

Então, acho que seria bem dificil de ajustar com JFETs sem IDss parecidos.

Minha conclusão: melhor mesmo é juntar os JFETs em VGSoff  e IDss semelhante, a partir da medição desses parâmetros = casar FETs.   É uma suruba, vários JFETs casados e morando juntos num mesmo quadrado!!


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Dando prosseguimento ao assunto, se tivermos um potenciômetro de divisor de tensão na placa para ajustar o VGS, nos sobra casar ainda um parâmetro, r0, que seria a resistência dinâmica com tensão VGS=0.   Bem, seria somente um parâmetro facilmente medido com um multimetro comum, geralmente na escala de 200Ω, como evidencia a equação em evidência na figura seguinte:

(https://image.slidesharecdn.com/semicondutores-transistoresjfet-140205122236-phpapp01/95/semicondutores-transistores-jfets-38-638.jpg?cb=1401103080)

Mas atenção: está provado então, o potenciômetro somente ajusta um dos parâmetros.  Abrindo então discussões sobre isso para diferentes pontos de vista, desde que embasados em alguma evidência concreta.

Abraços.

Então Raphael, de acordo com a excelente explicação do Patines, o casamento (seleção) dos JFETs para serem usados no Phaser, precisariam ter a mesma curva de transferência com os mesmos pontos extremos (mesmas Idss = corrente de dreno com tensão de gate = tensão de fonte, e mesmos Vgsoff (ou Vp) = tensão de corte ou de pinçamento).  Precisa ver se o que o seu medidor informa são estes parâmetros, já que para que um único controle de "resistência", os componentes devem se comportar com a mesma curva (corrente de dreno controlada pela tensão no gate).

Por curiosidade eu achei este esquema que é desta página ( http://www.electrosmash.com/mxr-phase90 onde explica bem o funcionamento deste efeito):
(http://www.electrosmash.com/images/tech/phase-90/mxr-phase-90-shifting-stage-with-r28.png)
Note então, que precisa haver a seleção de 4 JFETs iguais em Vgsoff e Idss. Não sei se é fácil conseguir isso e de quanto poderia ser a diferença entre eles para serem aceitáveis como "casados". Além disso, como cada estágio precisa defasar precisamente em 45° o sinal a ser atenuado pelo filtro notch, não somente os JFETs precisam ser iguais, mas também os resistores que ficam em paralelo com eles e os capacitores da rede de defasagem.

Sobre o medidor, verifique no manual o que na verdade o "I" e o "Vgs" significam (se são realmente Idss e Vgsoff). Há uma coisa estranha: I = 1,8mA e Vgs = 1,25V. Veja quais as faixas de variação para Idss e Vgsoff para o 2N5952 na datasheet:
(https://s24.postimg.cc/fye58ercl/2n5952.jpg)
Veja que Idss fica entre 4 e 8mA (embora para Vds de 15V, ela deve ser bem próxima para tensões Vds um pouco menores, talvez 9V do medidor, pois o Idss é o valor do patamar mais elevado e relativamente constante na região de saturação). Portanto esse I de 1,8mA está muito fora do que seria esperado.
Já Vgs de -1,25V pode até ser correta (já que o valor limite -1,3V é para 15V), mas seria de esperar que talvez você tenha outros 2N5952 com valores mais dentro da faixa esperada.

Veja que no site informado acima, também tem que haver uma adequação entre a polarização (escolha do zener) e os valores de Vgsoff dos JFETs usados.

Olhando a página e a explicação, achei esse efeito muito difícil de ser implementado pois precisa ter à disposição um monte de componentes para serem selecionados numa faixa muito apertada de tolerância entre eles. Imagino quantas peças do JFET precisa ter pra conseguir 4 iguais.

Xformer , há casos de se comprar dezenas para se achar os quartetos, no caso  do phase 90.

Os que sobram ,se formarem pares , podem ser usados no phase 45 que usa apenas dois fets.

Eu sempre comprei os quartetos casados, pelo fato de eu não ter o medidor em questão, mas imagino o sofrimento de quem faz a empreitada.

At Daniel

E pra variar, comprar quartetos iguais deve ter um preço salgado.   :-[

Aqui no fórum tem o Felix, comprei com ele, por questões de confiança e honestidade, mas faz tempo que fizemos negocio, mas não custa barato não o mais complicado é achar os Fets em questão, parece que o phase 90 se não for  o 2n5952 não fica agradável, até pesquisei se seria possível haver um phase 90 sem fet, mas pelo visto não há , bom ate hoje não achei, se alguém souber , peço que poste.

Ate já pensei em comprar nesses sites da china e arriscar um olho, mas o risco creio eu seja um pouco alto, devido a muitas falsificações e ou remarcações.

Quem sabe um dia não teremos um bom fornecedor para essas peças mais raras, com preços justos e qualidade...

At Daniel

Pessoal, eu já fiz este phase 90 antes, como já mencionei acima, casando os fets apenas medindo 1 parâmetro, Vgs, usando o esquema do GGG. Lembro que usei sockets para os fets, e testei eles casados, com o método da GGG e sem casar. Sem casar os fets, em configurações não muito longes de Vgs, ele funcionava, mas não era 100%. Com parametros distantes de Vgs, parecia um wah acionado a meio pedal, mas não tinha a "varredura" caracteristica.
Usando os fets casados com o esquema do GGG, BUM, o efeito veio, e veio com tudo, e para completar, eu não fui tão preciosista a ponto de medir todos os resistores e capacitores para usar com os mesmos valores....
Portanto, acho que ele pode ser tão critico quanto se queira, mas não acho que precise ser.
Acrescento ainda que eu tinha um phase 90 original e comparei lado a lado, a única diferença estava no potenciometro. Porém, min e máx tinham exatamente o mesmo efeito na comparação.
Xformer, quanto as diferenças sobre o "I" vistas no datasheet e no mtester, acho que ja respondeste a pergunta ao verificar que as tensões no datasheet são 15V, o aparelho usa aproximadamente 9v e não acho que essa relação V e I seja linear.
Assim que chegar o resto do material eu posto os resultados do pedal.
Grande abraço a todos!

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Em tempo, desta vez vou medir todos os resistores e capacitores, para casá-los nas 4 etapas. Vamos ver se usando com fets casados, não fica até mais interessante que o mxr original.
Já lí em algum lugar que eles usam fets do mesmo lote, pois as variações dentro de um mesmo lote não chegam a ser significativas, mas não lembro onde lí isso...

Não te atucana Daniel.   é só descobrir com os colegas a faixa de VGSoff e IDss que funciona bem o circuito.   Daí ajusta no projeto para outro JFET que tu consiga encontrar.  Tipo, já ache uns candidtos: J113, BF245a, bf245B.

O resto do circuito, com OPAMP, é bem mais flexível quanto á faixa de valores que podem ser variados.

Falem aí:
Que outros JFETs podem ser encontrados mais facilmente?
Que valores de VGSoff e IDss funcionou na sua montagem?

Abraços.

Como a pergunta inicial era sobre o Mtester e a validade dele para casar os JFETs, eu acho que ele não é confiável.  Se o "I" que ele informa fosse o Idss, não deveria medir um valor tão abaixo do especificado pela datasheet.
Quando você liga a porta (gate) com a fonte (source), o JFET se torna um outro componente especial: um regulador de corrente constante (dentro de uma faixa de valores de tensão entre o dreno e a fonte). Portanto, mesmo com 9V entre dreno e fonte, o Idss deveria estar mais perto de pelo menos 4mA e não menos da metade (1,8mA).
Veja neste desenho:
(https://s24.postimg.cc/6dttggyrp/JFET2.jpg)
Veja que para Vgs = 0, a corrente Idss se mantem com pouca variação (a parte da curva em vermelho) com o aumento de Vds. Então Idss para Vds = 15V (ponto A) é quase igual para Vds=9V (ponto B). Idss só seria muito baixa, se Vds fosse muito baixa e na região linear (ponto C).

Mas mesmo que seu testador não meça o Idss, essa é uma medida muito fácil de se fazer. Para um JFET canal N, basta uma bateria e um multímetro (no modo miliamperímetro). Ligue o positivo da bateria no dreno, conecte a porta (gate) e a fonte juntas e ligue-as ao positivo do multímetro, do negativo do multímetro vai para o negativo da bateria. A corrente que você medir é o Idss. Se mudar a tensão da bateria (respeitando os limites do componente), a corrente deve ser bem igual à anterior. Eis o regulador de corrente.
(https://s11.postimg.cc/c6l32fmoz/jfet3.jpg)

A minha lógica diz:
O Mtester OU o Jfet, pelo menos um deles não é confiável.

OU pode ser que o transistor da imagem não seja o 2N5952  E o Mtester e o JFET sejam confiáveis.

Abraços.

Só falta serem outros modelos de JFETs remarcados com 2N5952 (já que eles saíram de linha na ON - obsoletos). Embora ele tenha dito que comprou na Farnell.

Comprei na Farnell, na época ainda existia no Brasil, nesta mesma época cheguei a construir 1 phase 90 casando os fets apenas com o parâmetro Vgs e fiz os testes como ditos na resposta anterior.
De qualquer modo, vou montar o circuitinho da GGG novamente antes de construir os pedais novamente e comparar com o aparelho.
Fica realmente difícil saber qual I ele informa, pois para Vgs ele informa Vgs, mas essa corrente é apenas I, pode ser até a corrente de consumo da fonte durante o teste, pois uma coisa que reparei foi que quanto maior o Vgs, maior esta corrente I.

Usa ATMEL MEGA 328 com cristal de 8.042 MHz

10-bit Resolution
• 0.5 LSB Integral Non-Linearity
• ±2 LSB Absolute Accuracy  (=- bits3)
resolução= 7 bits
15X menos que meu multimetro comum minipa em escala 2V

Para medir o Vgs off (a tensão em que o JFET desliga e não deixa passar a corrente de dreno), também não precisa de coisa muito complicada e componentes adicionais como AOs.

As duas montagens abaixo medem o Vgs off:

(https://s2.postimg.cc/ykylocyl5/jfet4.jpg)

Na primeira montagem, a bateria e o potenciômetro ligados no gate podem ser uma fonte de tensão variável (se tiver voltímetro embutido, melhor). Quem não tiver fonte ajustável, usa uma bateria, o potenciômetro e um voltímetro. A outra bateria alimenta o JFET nos terminais dreno e fonte, com um miliamperímetro em série.  Ajusta-se a tensão aplicada no gate até que a corrente lida no miliamperímetro seja zero (pode passar para modo microamperímetro também). A tensão no gate será a tensão de corte ou pinçamento (Vgs off). Atenção: preste atenção na polaridade da fonte do gate, se inverter, o JFET vira um diodo diretamente polarizado e pode queimar.

Na segunda montagem, a coisa é mais simples ainda. Basta conectar um voltímetro com alta resistência de entrada (10M ohms é melhor do que 1M ohms, vai dar uma pequena diferença) entre a fonte e o terra, aterrar o gate e alimentar o dreno com uma bateria ou fonte (6V ou 9V ou 12V). A tensão medida será a Vgs off (com sinal trocado).  Mais simples que isso impossível.

Eu também tenho um MTester deste postado pelo raphaelCoelho, que um amigo comprou direto da China.  Só que estava guardado, nunca havia usado, só tinha ligado para testar.

Depois de ver este tópico, pequei para verificar qual era o processador.  Como eu também tenho alguns 2N5952 (15) que também foram comprado na Farnel (Brasil), resolvi testa-lo, e a grande maioria mediram igual a foto que foi postada na abertura do tópico.  Como observação acrescento que a bateria que usei, já estava encostada, retirada do multímetro, e indicando no próprio MTester, que indica o estado da bateria como 7,78V e foi caindo (provocado pelo consumo do display) enquanto eu verificava os 15 JFets.

Eu acho que este testador, não usa os 9V da bateria para testar os componentes.  Tem um regulador 78L05 que serve para alimentar o processador; e acho que é esta tensão que também é usada para testar os componentes que são polarizados, pois mesmo com a bateria "gasta" deu as mesmas indicações que o raphaelCoelho encontrou.

O primeiro método é muito complicado.  O segundo acho melhor, desde que tenha certeza que exista realmente uma corrente entrando pelo multímetro.   Proponho até que  tu agarre um JFET e meça com resistor de 1M e 10M em paralelo com o multímetro pra ver se a diferença é muita.  Com resistor de 1M, daria no máximo 3,5uA e com 10M no máximo 350nA, que aliás, se tu desenhar no gráfico, estão no mesmo lugar.  Em termos de tensão os 100nA (no datasheet VGsoff fica nesta corrente) também estarão naquele ponto, pois 4mA, que seria o mínimo IDss é mais de 1000X maior que 3,5uA, que seria a máxima corrente com resistor de 1M.
Então na verdade, acho que com 1M e 10M daria a mesmíssima tensão em termos da precisão que medimos...   só tenho minhas dúvidas para medir sem resistor, ou com multímetro digital CMOS.  Vou até fazer um teste pra ver isso.

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Agora meça IDss de algum JFET com método do multímetro e resistor de 100Ω pra ver se bate.  Abraços.

Já testei com um 2N3819 nos dois métodos.  Usando a fonte de tensão ajustável, Vgs off ficou em -3,7V.  Depois com um voltímetro de 10M ohms de resistência de entrada ligado diretamente no source, escala de 20Vdc, mediu 3,73V.   Num multímetro mais simples, com resistência de entrada de 1 M ohm, mediu 3,63V.   Não precisa do resistor, pois a própria resistência de entrada e interna do multímetro já serve de resistor de source. Se usar a resistência, vai ficar em paralelo e diminui a resistência de source da polarização.

Só para agregar ao tópico.
tenho um testador desse, de modelo mais recente (gera pwm e funciona como frequencímetro/gerador de frequência e voltímetro), resolvi montar um phase90 e aproveitei para casar os FETS utilizando ele.

a leitura dele não é muito confiável, acredito que por realizar o teste com apenas 5v, o valor de VG difere um bocado do realizado com multimetro e o tradicional Matcher, mas apesar disso, ele consegue sim realizar o casamento.
Casei 4 quartetos de j201 (adquiridos na época da Farnell Brasil) com o MTester e tirei a prova com o Matcher e com o circuito para medição do Idss do "ROG" (página do Fetzer), o resultado é que o casamento é válido.

o MTester não é confiavel se você precisar do valor exato de Idss e VGs para um circuito (como o próprio Fetzer que utiliza esses valores para definir resistores), mas é o suficiente para comparação direta entre os componentes e realizar o casamento, apesar das distorções nos valores, ele mantém o parametro.

(o meu é um modelo mais recente e utilizo fonte externa para ele, então, não há variação de resultados pelo desgaste natural que a bateria teria)

Pessoal, recentemente precisei medir uns transistores de germânio para um tonebender. Acabei, mais uma vez, fazendo aquele circuito de testes da GGG...
Porém, tinha algum material aqui, e resolvi fazer um testador de transistores, como um equipamento de bancada (ja tinha um voltimetro que sobrou do tube tester, transformador com 2x9V e uma caixa de madeira), pois toda vez que preciso, acabo buscando resistores ou trimpots, enfim, uma trabalheira.
Fiz e funcionou bem, porém ainda tinha que fazer alguns cálculos para medir transistores de germânio...
Segue uma foto abaixo:

(https://i.postimg.cc/dV2TGYBr/20210826-165520.jpg)

Esses dias, precisei medir uns fets, e ai pensei:
Por qual motivo eu já não coloquei no testador um circuito para os fets??  )>|
Além disso, caiu o perfurador da prateleira sobre o painel (na foto dá pra ver ele trincado).

Enfim, eu tinha um arduino, um display e um módulo i2c para display guardados e sem uso aqui, que sobraram do projeto da bobinadeira... E pra completar, descobri um módulo ADC (i2c) de 16 bits, pronto, e de baixo custo.
Bingo! Era o que faltava para fazer um testador de transistores micro processado! Como o módulo é barato, adquiri um. O melhor é que ele tem 4 entradas, e pode usar elas como 2 entradas diferenciais, então, fechou todas!

Tá praticamente funcionando, porém....

Nesse equema de casar transistor pro FF do RG Keen (GGG) é usado uns valores de resistores diferentes pra facilitar o cálculo.
Porém, o calculo é o seguinte:
(Corrente coletor - corrente fuga) dividido pela corrente de base. Ou em silicio, Ic/Ib, direto, pois a fuga "é desprezada"
Só que tem uma coisa... Dependendo do transistor a corrente de base varia, pouco, mas varia ( queda de tensão base-emissor ).
Por ex: Mesmo sabendo que a tensão no circuito é 6V (meu caso aqui, pois o módulo mede até um pouco mais que 6V), e o resistor de base é 1M, a corrente de base deveria ser fixa em 6uA (na verdade 5,7uA para germânio e 5,4uA para silicio) porém na prática não é bem assim, mesmo transistores de mesmo tipo, tem quedas de tensão diferentes na junção.
Medi essa queda de tensão com vários transistores diferentes aqui (Si e Ge) e em cada um deles, essa tensão tem um valor diferente, que varia de 5,25v até 5,8v (a diferença ficou maior, mantendo o mesmo resistor de 1M).

Então ai vem a pergunta:

Os medidores de hfe ou de transistores, medem a corrente de base (monitoram ela para cada medida) ou ela é uma média?
Vou fazer uns ensaios e contas aqui, pra ver o tamanho do erro que isso gera no final! Provavelmente é desprezivel, pois o método do GGG é amplamente usado mundo afora inclusive para transistores de silicio, e ninguém nunca reclamou (que eu saiba).
Estou pensando se vale a pena monitorar essa tensão de base, ou se é preciosismo...
Vou seguir fazendo alguns ensaios e comparar os valores de hfe e fuga (quando for Ge) usando a Ib estimada e a medida, e chegar no valor de erro. Acredito que seja desprezivel, mas como estou no processo de ajustes, ainda dá tempo de alterar, caso não seja tão desprezivel assim..

Um medidor de beta de transistores não serve para sabermos exatamente qual é o ganho do transistor. Pelos motivos que você mesmo descreveu, a corrente de base depende de uma série de fatores que inclusive podem depender do transistor a ser medido (Vbe por exemplo). Outro detalhe é que o beta do transistor pode depender das correntes envolvidas (pegue uma datasheet de qualquer transistor e veja gráficos de hFE x Ic para ver que o hFE varia) e que o beta (ganho estático em DC) é diferente do hfe (AC) e onde há a dependência da frequência.
Assim não tem muita serventia medir o beta sob uma condição que depois provavelmente vai ser muito diferente da condição de operação.  Mas para fazer o "casamento" de dois transistores ele pode ser mais útil, pois pode-se selecionar os transistores que tenham o mesmo ganho na mesma condição e onde o valor real não importa, mas apenas os valores relativos de um ao outro transistor.
Ainda assim, se deseja medir o ganho DC de um transistor com uma corrente de base independente, talvez seja o caso de usar uma fonte de corrente para fornecer a corrente de base e medir a corrente de coletor para fazer o cálculo.

Xformer, obrigado pelo retorno.

Eu sempre confundo o hfe com o beta. Sem mais confusões.

Uma pergunta... Esses multimetros comuns, mesmo que esteja sinalizado na chave seletora, hfe, medem o beta então?

Como tenho duas entradas diferenciais, poderia medir a tensão sobre o resistor de base e jogar esse valor no cálculo, obtendo assim o valor da corrente de base para cada caso. Mas fiz vários testes com transistores diferentes e cheguei numa conclusão:

Não vale a pena! A diferença entre fornecer a corrente exata para o cálculo e a "corrente média", é muito pequena no resultado final, tanto para transistores de Si como de Ge. No Ge é ainda menor a diferença, explico abaixo.
Como meu uso vai ser mais voltado para transistores de germânio, vou deixar setado a Ib na média de valores entre eles (com os Ge, variou de 5,84 uA até 5,72 uA, e com os Si de 5,22 uA até 5,43 uA).
Deixando a corrente em 5,8uA, nos transistores de germânio, não consegui medir alguma diferença, acho que o motivo é que ficou muito perto da corrente real (5,72~5,84 uA), e transistores de germânio, de toda forma, são muito difíceis de medir. Um exemplo disso é a sensibilidade extrema deles com a variação de temperatura, só de chegar com a mão perto, já apresenta alguma diferença... Eu coloco eles no soquete (com a mão) e fico monitorando a corrente de fuga (base aberta), como aqui tá frio, ela cai muito, isso que faço esse procedimento rapidamente, e só tiro as medidas depois que esta corrente de fuga estabiliza. Já nos transistores de silicio, é mais rápido. Em todos os testes, eu medi a corrente em cada um deles, e rodei o teste com a corrente certa e com a corrente de 5,8 uA. A diferença foi muito, muito pequena.
Mesmo não sendo meu principal objetivo, medir transistores de silicio, pode ser útil. Reparei que os transistores de baixa potência (pequenos, bc548, 2n2222 por exemplo) tem uma Vbe mais próximo aos 0,6V e mais "parelha". Já os transistores de maior potência (médios BD137, TIP32) tem uma Vbe maior, e maior diferença entre eles.
Como não pretendo medir transistores maiores (testei esses médios só pra montar a tabela), pelos meus ensaios, tenho o seguinte:

Germânio - erro desprezível.
Silicio pequenos - maior erro encontrado - 3,5%
Silicio médios - maior erro encontrado - 11%

Testei 22 transistores de germânio, 46 transistores de silicio pequenos e 8 médios. Em todos eles, diferentes tipos, fabricantes, antigos e novos.

Mesmo a maior diferença encontrada (em um tip41) é ainda menor que a diferença encontrada entre meus dois multimetros e o Mtester. Comparando as leituras desses equipamentos, um antigo multimetro icel é o que mais se aproxima dos valores que eu estou encontrando nas medidas que realizo nesse projeto.
Não tenho interesse em medir transistores de potência, como esses que eu testei ou ainda maiores. Mas caso alguém queira, já seria interessante usar uma corrente de base maior que a que estou usando.

Vou postando aqui o progresso do projeto!

O Beta é a relação Ic/Ib em corrente contínua. O h_fe (com letras minúsculas) se refere a um parâmetro híbrido de um modelo linear, que só funciona para sinais AC de pouca amplitude (dessa forma o transistor se comporta linearmente).  O Beta pode ser chamado de h_FE (com letras maiúsculas no subscrito).  Aqui um resumo:



Pelo menos no meu multímetro, a medida é de Beta. Veja o esquema dele, onde a corrente de base vem por um resistor de 220k a partir da bateria de 9 V se for NPN ou para o terra se for PNP (já deu pra perceber que a bateria se gastando, altera Ib) e a corrente de emissor (não de coletor) é medida indiretamente pela medição da tensão DC sobre um resistor de 10 ohms.


Como eu já escrevi, não existe um valor certo e único para um transistor. Cada aparelho mede com condições diferentes, então nem tem como comparar o valor que deu num, com o de outro.

Xformer, muito obrigado! Não tinha me atentado ao subscrito. Agora faz mais sentido!
Encerrei a parte do testador para transistores tbj. Fiz mais alguns testes e comparações, medindo via o circuito com arduino e medindo as correntes na protoboard com meus multimetros e calculando, os resultados são muito, muito semelhantes, como já tinha comentado, nos transistores de germânio os resultados são praticamentes iguais, e nos transistores de silicio, resultados muito parecidos.
Amanhã vou seguir com os fets, já separei alguns, e vou usar o esquema do runnoff:

(https://i.postimg.cc/8C29qW62/Screenshot-20210926-185850-Chrome.jpg)

É bem simples, mas funciona bem. Porém, eu só tinha aqui resistor de 1M e de 2M2, um de cada. E tá me parecendo que as entradas do ADC estão carregando o circuito (eu li em algum fórum que elas tinham mais de 10Mohms de impedância, mas pelo visto não). Amanhã vou tentar com um resistor de 10M e caso não dê certo, vou testar sem resistor, usando a própria impedância de entrada do ADC.

Nesse medidor das características do JFET, não precisa o resistor de 1 ou 10 Mohms. A própria resistência interna de entrada do multímetro faz o papel de resistência pro teste. Se o seu multímetro tiver 10 Mohms de resistência de entrada, é melhor do que um de 1 Mohms, e veja que se usar os resistores externos, eles vão ficar em paralelo com a resistência de entrada do multímetro, derrubando a resistência total.  Da mesma forma, para medir o Idss basta ligar o gate ao source (assim Vgs = 0)  e medir a corrente (sem o resistor e usando o miliamperímetro do multímetro, ao invés de medir a tensão sobre o resistor de 100 ohms, tensão que fica dependendo da precisão e tolerância deste resistor).

Xformer, eu estou usando um micro controlador e um conversor AD para fazer as medidas (voltímetro), por isso o uso do resistor de 100R. Eu só preciso medir ele uma vez e colocar seu valor no firmware. Quanto ao resistor de 10M, testei com e sem ele, mas tem alguma coisa errada... Até de agarrar os fios que ligam as entradas do ADC aos resistores, o valor muda. Pode ser algum ruído, ou algo do tipo, apesar de ser DC, a tensão medida é baixa, e o circuito tá montado numa protoboard, eu usei jumpers com fios rígidos de cabo de rede. Procurei a impedância de entrada (diferencial) do ADC, mas não achei algo concreto. Lí em alguns fóruns que é mais de 20Mohms, mas não tenho certeza. Vou passar para uma circuito melhor e usar alguns cabos blindados e ver como se comporta. Com o multímetro digital (20Mohms de entrada) no lugar do ADC, as medidas são estáveis. Com os TBJ isso não aconteceu...

Como é o circuito que você quer usar ?  Qual é esse módulo ADC ?  Por que não usa o próprio ADC do Arduíno ?

Xformer, o ADC do arduino tem apenas 10 bits, o que deixa a resolução muito baixa.
O ADC que estou usando é um módulo pronto, o ADS1115. Ele tem 4 entradas (no meu caso, estou usando 2 como uma entrada diferencial). Ele é 16 bits, mas consigo usar 15, um se perde no endereçamento.
Com o arduino, se a alimentação do circuito for 5V, eu consigo uma resolução de 4,88mV positivos. Com o módulo, eu deveria conseguir 153uV de resolução. Na biblioteca que estou usando tem uns modos fixos, e consigo para uma alimentação de pouco mais de 6V, 187uV (não recordo, mas é este valor ou um pouco menos) de resolução, em medidas de tensão positiva ou negativa, pois no modo diferencial, ele mede entre 2 pinos.

O circuito é muito simples, é o ADC, conectado via I2C no arduino e duas entradas do ADC como sendo as pontas de prova para cada tipo (duas para fet e duas para tbj). O display é 16x2, conectado via I2C também. E tenho 2 chaves conectadas  em 2 pinos digitais do arduino, uma muda o menu (tipo de transistor) e a outra é o enter. Uso uma chave dpdt de alavanca, numa posição ela desconecta a base (medir a fuga) e jumpeia o resistor de 10M ohms no circuito do fet(medir Idss) e na outra posição ela conecta a base (medir o "beta") e no circuito do fet coloca o resistor de 10M ohms no circuito (medir Vp). Ainda tenho duas chaves dpdt que selecionam pnp/canal p ou npn/canal n, fuga/idss ou beta/Vp, e uma chave de onda que seleciona entre tbj e fet (para trocar a conexão dos bornes frontais e soquetes, para o circuito do tbj e para o circuito do fet).
No firmware eu adquiro os dados (um por vez, no tbj, primeiro fuga e depois "beta" e no fet, primeiro Idss e depois Vp) e jogo em variáveis, faço os cálculos e imprimo no display.

Os circuitos de testes, para fet é este que postei e para tbj uso dois resistores, um na base e um no coletor (1M e 1K se não me engano, não estou em casa nesse momento).

É bem simples, mas deve funcionar bem. Só esse ruído nos fets que tá estranho. Mas... acho que sei o que pode ter acontecido. Nos testes, ainda tava usando 9V, e um transistor de germânio queimado levantou a tensão medida para mais de 8V, e queimou 2 das 4 entradas do ADC. Como as 4 são multiplexadas pelo mesmo mux, pode ser que tenha afetado as outras duas entradas. De toda forma, preciso pegar um novo, pois preciso usar as duas entradas diferenciais (uma para tbj e a outra para os fets) para não precisar de mais uma chave no painel.

Assim que tiver um tempo, posto um esboço do circuito aqui, e o código, ou caso alguém se interesse, posso enviar os arquivos também.

Novamente, obrigado pela ajuda Xformer!

Ainda em tempo, no link abaixo tem um artigo falando sobre o módulo e um link direto para baixar o datasheet:

https://www.best-microcontroller-projects.com/ads1115.html (https://www.best-microcontroller-projects.com/ads1115.html)