Handmades

Não veio um layout nesse artigo?

Kem não fique tão contente, o problema desses mosfets é que eles foram feitos para aplicações onde eles trabalham como chaves (ou cortado ou saturado em plena condução), situação em que eles dissipam pouca potência (= esquentam muito pouco) e não como elementos amplificadores na região linear (onde eles esquentam barbaridade).

.... Como eles sofrem de colapso térmico facilmente, qualquer abuso na carga ou alimentação e/ou subdimensionamento na refrigeração (pra piorar o encapsulamento TO220 deles é pequeno para a potência que eles tem que suportar nesse caso), e eles pifam.  Ao contrário dos 2SK1058/2SJ162 que foram feitos pra áudio e tem coeficiente térmico negativo (ou seja não precisam de reajuste de bias com a mudança de temperatura).  

Mas e esse circuito aqui? O que acharam dele? Viavel?
Usa os IRFP240/9240... 60E em 8ohms e 90W em 4ohms

Mas e esse circuito aqui? O que acharam dele? Viavel?
Usa os IRFP240/9240... 60E em 8ohms e 90W em 4ohms...

Po xformer, não podia achar um com uns mosfets mais baratos?!?  :D
Tem mais informações sobre ele aqui: http://320volt.com/160w-hifi-amfi-devresi-mosfet-irf240-irf9240/

Dou força.  Este acho que está bem legal!
Com essa configuração, aceita diversas tensões para a fonte, respeitando a tensão dos transitores.

Patines, qual você achou legal?
O que o xformer postou ou o que eu postei?
160W com os IRFP240/9240 não é muito?

Patines... os 3 links que postei são do mesmo amplificador.

Mas só olhei um link.

Da uma olhada nesse aqui: http://vnav.vn/forum/viewtopic.php?f=19&t=10246

O outro que o Xformer postou eu não gostei pelos motivos que já falei.  falta de resistor de fonte e pela fonte de corrente ruidosa utilizada...  Além de FET mosca branca.

T+

No livro "High Power Audio Amplifier Construction Manual - 50W to 500W"  do G. Randy Slone (morto em 2010) ele explica sobre as vantagens dos mosfets laterais 2Sk1058/2SJ162, entre as quais a desnecessidade de resistores de fonte

Da mesma forma em dois projetos do livro, são usados o circuito de fonte de corrente que segundo você é ruidoso (o 4 da sua tabela). Eu gostaria de saber qual a razão e uma explicação para tal configuração de fonte de corrente ser ruidosa (por favor uma explicação simples para novato, sem entrar em física quântica ou coisa do gênero). Eu realmente não sei e não estudei a fundo sobre fontes de corrente com transistores.

Apesar deles serem caros, segundo ele, esses mosfets simplificam o projeto (na polarização, na proteção, no estágio de amplificação de tensão) e dão uma confiabilidade grande ao amplificador (ele chega a afirmar que eles são praticamente indestrutíveis e que mesmo nos raros casos de falha, não danificam os estágios anteriores).

A não necessidade de resistor de fonte, acho que tu é que deve nos explicar, já que não tenho acesso a este livro.   Se tu pudesse fazer este favor a todos e explicar o porque, eu ficaria feliz.  Respeito a opinião de meus colegas(Sr. Slone ou Sr Xformer), mas não é por respeitar que concordo sempre.  Neste caso, gostaria de saber o motivo, para existir a possibilidade de mudança de opinião.  Veja que minha opinião sobre o resistor de fonte é porque ele tem efeito de realimentação regenerativa, o que facilita a polarização.  A colocação ou não desse resistor depende do circuito, não depende pura e simplesmente do dispositivo(FET).

1 - Mosfets laterais tem uma característica de transição de coeficiente de temperatura positiva para negativa em baixas correntes de dreno, tipicamente de 200mA ou menos. Em outras palavras, os mosfets laterais começam com um coeficiente de temperatura positivo como os transistores bipolares (BJT), mas logo que a corrente de dreno se torna significativa (maior do que 200mA), os mosfets laterais ficam com coeficiente de temperatura negativo, automaticamente limitando a corrente de dreno com o aumento da temperatura. Isso é uma característica ideal para aplicações de áudio de potência que elimina muito das complicações existentes em estágios de saídas com BJTs relacionadas à temperatura. Primeiro a tensão de polarização (Vbias) não precisa mais monitorar termicamente os dispositivos de saída. Isso elimina o transistor de polarização (i.e. o circuito do multiplicador de diodo) e preocupações com o monitoramento térmico preciso. Se for mais conveniente, os dispositivos de saída mosfets  laterais não precisam nem mesmo ser colocados no mesmo dissipador já que o monitoramento térmico não é mais necessário. Depois não é mais necessário incorporar resistores de fonte (i.e. análogos aos resistores de emissor nos circuitos com BJTs) com o objetivo de assegurar a correta divisão de carga ao dispositivos de saída em paralelo. O coeficiente de temperatura negativo dos mosfets laterais automaticamente corrigem os desbalanceamento de correntes.

2- Os mosfets laterais são imunes ao breakdown secundário. Essa característica não somente melhora as expectativas de confiabilidade mas também acaba com as necessidades de circuitos complexos de proteção de sobrecarga que existem nos BJTs. Os circuitos de proteção podem ser reduzidos a simples limitadores de tensão e corrente.

3- Os mosfets laterais não exibem características análogas aos efeitos de queda de beta do transistores de potência BJTs. Esta característica elimina um dos três maiores mecanismos de distorção inerentes  aos estágios de saída de potência.

4- Os mosfets laterais são definitivamente mais resistentes e tolerantes. Os dispositivos 2SK1058/2SJ162 que eu recomendo para os projetos deste livros  são literalmente indestrutíveis. Eles são intrinsecamente protegidos por diodos contra descarga de estática, imunes ao breakdown secundário e limitam automaticamente a corrente. (Fusíveis comuns de rápida fusão vão proteger realmente os mosfets laterais contra danos de sobrecorrente. Em contraste os BJTs sempre irão proteger os fusíveis). Pra concluir, é quase impossível destruir um desse dispositivos por acidente. A confiabilidade de qualquer amplificador de potência incorporando um estágio de saída com mosfets laterais será muito superior  a qualquer projeto utilizando BJTs no estágio de saída, mesmo se o estágio com BJTs for extensivamente protegido.

5- Os mosfets laterais, como todos dispositivos mosfets, são dispositivos de tensão. Isto é, eles não necessitam de uma corrente de drive maior do que a necessária para carregar suas capacitâncias de gate relativamente grandes. Consequentemente o efeito de carga sobre o estágio amplificador de tensão é mínimo. Essa característica ajuda a reduzir (ou eliminar) a distorção de carregamento do estágio amplificador de tensão e ajuda a simplificar o projeto do amplificador de tensão.

6- Não há efeito de carga-armazenamento nos mosfets laterais. Portanto são imunes a distorção por chaveamento.

7- Nos raros casos de falha, os mosfets geralmente falham de modo suave, significando que o gate curto-circuita para o source. Nos cenários de pior caso, o canal irá curto-circuitar, mas desses modos, muito raramente um mosfets pifado irá causar uma cadeia de destruição nos estágios anteriores (este tipo de destruição retroativa é chamada de destruição colateral).

8- A precisão da tensão de polarização necessária para o desempenho ótimo de um estágio de saída com mosfets laterais é muito menos crítica que para estágios comparáveis com BJTs. Isso significa que um estágio de saída com mosfet lateral será mais fácil de ajustar e vai manter melhor estabilidade da tensão de polarização no longo prazo.

9- Os mosfets laterais tem uma banda de resposta muito maior que os BJTs de potência. Eles são capazes de um chaveamento mais rápido que os BJTs devido à ausência de portadores de carga minoritários, que é a razão pela qual os mosfets são imunes à distorção de chaveamento. Porém, é debatível se uma banda mais larga é mais vantajosa no mundo real dos projetos de amplificadores. De qualquer forma, uma banda mais larga ajuda a manter a compensação do amplificador de ser instável.

Este tipo de fonte de corrente é utilizado em CIs, que pressupõem transistores construídos em condições bem controladas e na mesma pastilha.  Seu bom funcionamento é somente uma teoria.  No mundo real, principalmente em transistores diferentes é de dificil utilização.  Eu diria que o uso deste tipo de fonte de corrente é característico de pessoa acadêmica.
O fato da junção base-emissor estar diretamente colocado no emissor do transistor que controla a corrente e de lá para o GND, faz com que no coletor deste, exista amplificação de ruído...  que passa novamente á base do transistor controlador de corrente.  Para evitar isso, no mundo real,  seria melhor colocar um resistor entre o emissor do transistor controlador de corrente e a base do transistor de referência, incluindo também um capacitor entre base e coletor do segundo.  De qualquer forma, existe uma grande variação do Vbe destes transistores, causando uma grande variação na corrente fornecida...  que ao meu ver, é ainda pior que ter ruído.
Monte um fonte de corrente destas, aplique num resistor e escute amplificada que tu saberá do que falo.  Compare com outra de zener na base do transistor com a mesma corrente.  O Zener, por ser geralmente de tensão bem maior que o Vbe do transistor, diminui as variações percentuais de tensão e por conseguinte, corrente.

Não sei se é obvio o que vou dizer: estas são minhas opiniões baseadas nas minhas vivências, estudos e reflexões, mas acho que "acredite se quiser", pode estar tudo errado!

Veja que a vantagem de um 2SK1058 é a baixa corrente onde a estabilidade de IDss X VGSth  com a temperatura ocorre: em torno de 100mA.  Se estiver polarizado em classe AB naquela faixa de corrente trabalha bem, diferente de um IRF530 onde a faixa de estabilidade com a temperatura está nos 6A.

Também temos que tomar cuidado com qualquer amplificador de potência sem proteção contra curto-circuito na saída se o falante é comutado com jack ou externo ao amplificador.  Um deslize de ms e sai fumaça dos transistores de saída.